多项选择题
以下关于CVD的描述正确的有（）。
A.hg≥ks，淀积速率为扩散控制B.hg≤ks，淀积速率为反应控制C.hg≥ks，淀积速率为反应控制D.hg≤ks，淀积速率为扩散控制
多项选择题 CVD淀积SiO2薄膜过程中主要涉及的运动有哪些？（）
多项选择题 CVD基本过程包括（）。
多项选择题 CVD薄膜有哪些应用？（）
