判断题 对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。

判断题 Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。

判断题 过孔上往往有较大的寄生电阻，因此为了减少因此产生的IR Drop，单个过孔的面积应该尽可能的大。