单项选择题
材料烧结时,晶粒生长是晶界移动的结果,为保证晶粒正常生长,应控制晶界移动速率Vb与气孔移动速率Vp,当()时,晶粒正常长大。
A.Vb=VpB.Vb>VpC.Vb< VpD.二者没有关系
多项选择题 提高物料烧结活性的途径有()。
单项选择题 物料粒度越大,烧结速率();提高烧结温度、延长烧结时间、提高成型压力一般会()烧结。
判断题 二次再结晶的过程中存在晶核,界面处有应力存在,气孔维持在晶界上或晶界交汇处。