问答题
MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？
源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率
问答题 为什么说MOS晶体管是一种电压控制器件？
问答题 在CMOS电路里，MOS管一般采用何种类型？
问答题 根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？
