单项选择题
N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。
A.正，电子积累B.负，电子积累C.正，空穴反型层D.正，电子反型层
单项选择题 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状态时所加的栅电压应该是（）的
单项选择题 P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是（）的；强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是（）的
单项选择题 不影响MOS管阈值电压的参数有（）
