多项选择题
下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）
A.当捕获71.JPG"alt="捕获，捕获74.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在饱和区 B.当捕获73.JPG"alt="捕获时，且捕获72.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在深线性区 C.当捕获71.JPG"alt="捕获，并且捕获72.JPG"alt="捕获，NMOS器件工作在线性区 D.当捕获73.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在截止区
判断题 如果一个电路的最高电压是VDD，最低电压是VSS，那么NMOS器件的衬底应该接VDD。
单项选择题 下列关于MOS版图说法不正确的是（）
判断题 一般MOS器件的源漏是对称的，这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。
