问答题

【参考答案】

1.GaAs中非平衡少子饱和漂移速率大约是Si的4倍
2.在GaAs中,电子和空穴可直接复合,而Si不行......

(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)