判断题
增大VA的措施是增大基区宽度、减小势垒区宽度。
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判断题 防止基区穿通的措施是提高WB与NB 。
判断题 在异质结双极型晶体管中,通常将发射结作成异质结,即用宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区。
判断题 发射结正偏、集电极零偏时的IC与IB之比称为共发射极直流短路电流放大系数。