单项选择题
在分析大扇入逻辑门时，内部节点电容变得十分显著从而不能忽略，对于下图所示的四输入NAND门及其RC模型，所有的NMOS尺寸相同，它们的等效电阻都为RN，所有的PMOS尺寸相同，它们的等效电阻都为RP，则其传播延时可以表示为（）。
A.tpHL=0.69RN（C1+2C2+3C3+4CL）B.tpHL=0.69RN（C1+2C2+3C3+CL）C.tpHL=0.69RN（C1+C2+C3+CL）D.tpHL=0.69RP（C1+C2+C3+CL）
单项选择题 为了使两输入NAND门的下拉延时与最小尺寸的反相器相同，在PDN串联网络中的NMOS器件必须设计为反相器中的NMOS宽度的（），以使NAND下拉网络的等效电阻与反相器的相同。
单项选择题 如图所示的互补CMOS门中，M1与M2管为相同尺寸与同一工艺条件制造的NMOS晶体管，则M1管的阈值电压Vth1与M2管的电压Vth2的关系是（）。
单项选择题 当通过静态CMOS电路来实现逻辑功能时，PMOS器件串联相当于（）功能。
