单项选择题
已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则（）
A.该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构B.该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构C.该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构D.该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构
单项选择题 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中，（）
单项选择题 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，（）
单项选择题 当三极管的共射电流放大系数下降为1时所对应的频率为（）
