单项选择题
高密度Plasma作用下,基板的温度可以到()以上。
A.50℃B.100℃C.150℃D.200℃
单项选择题 以下是集成电路制造工序前工序的是()。
单项选择题 半导体的制程工序有多少道?()
单项选择题 热扩散炉需要给杂质气体加热的温度是()。