单项选择题
以下熔体生长法生长晶体描述正确的是（）
A.材料必须在熔化过程中成分不变B.材料在是温和熔点之间能够发生相变C.二氧化硅可以用于熔体生长法D.材料在熔化前能够分解
单项选择题 以下对于晶体生长的方法描述错误的是（）
单项选择题 以下对于非均匀形核的描述错误的是（）
单项选择题 以下对于粗糙界面和光滑界面描述正确的是（）
