填空题 随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，导致器件的阈值电压（）。（填“升高”或“降低”）

填空题 假设在PN结上加上一个电压，使p区的电势相对于n区升高，其表现出来的结果是电流从p区向n区流过二极管，此时二极管处于（）（填“正”或“反”）偏置状态。

单项选择题 栅源电压一旦下降至阈值电压以下时电流应当下降得尽可能（），即斜率系数S的值越（）。