判断题
在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤:预淀积、推进和激活。
正确
判断题 晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术,一次掺杂成功。
判断题 在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。
判断题 高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。