相关考题
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多项选择题
减薄划片的低级错误有（）。
A.错划
B.漏划
C.崩单晶
D.掉芯 -
单项选择题
NCL单围堵后，（）内工程完成原因分析和给出处理意见。
A.3小时
B.1小时
C.2小时
D.4小时 -
多项选择题
在高倍下（）检验晶圆表面及芯片表面异常。
A.50X
B.100X
C.200X
D.500X
