单项选择题
烧结陶瓷法制备无极固体材料时，以下利于反应措施有（）
A.共沉淀法制备目标物质
B.采用能够放出气体的原料
C.反应温度设定在某起始物质熔点
D.以上三种都是
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单项选择题
关于超导陶瓷材料的表述正确的是（）
A.临界温度Tc越低越好
B.临界磁场Hc越小越好
C.临界电流Ic越小越好
D.临界温度Tc、临界磁场Hc、临界电流Ic都是越大越好 -
单项选择题
下列杂质对AgCl导电率提升的是（）
A.AgBr
B.ZnCl2
C.KCl
D.NaBr -
单项选择题
关于助熔剂法制备无机材料的说法正确的是（）
A.助熔剂比目标物质的熔点低
B.助熔剂比目标物质的熔点高
C.助熔剂只能是一种
D.助熔剂法多余，不如直接将目标物质熔融再结晶
