单项选择题
已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是（）型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的（）
A.N，上方
B.P，上方
C.P，下方
D.N ，下方
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单项选择题
已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。
A.大于
B.小于
C.等于
D.无法判断 -
单项选择题
N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。
A.正，电子积累
B.负，电子积累
C.正，空穴反型层
D.正，电子反型层 -
单项选择题
一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状态时所加的栅电压应该是（）的
A.正，正
B.正，负
C.负，正
D.负，负
