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问答题
案例分析题
设某1μmCMOS工艺的参数如下
P管几何尺寸为多少才能获得与N管相同的增益因子。
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问答题
试求最小尺寸NMOS管的栅电容和增益因子βn。
问答题
利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管，已知栅电容Cox=10-3pF/μm2，扩散区电容Cja=10-4pF/μm2，扩散区周边电容为Cja=10-3pF/μm，场区多晶硅与衬底之间的电容Cp=5×10-5pF/μm2，试计算多晶硅区和扩散区的电容。
问答题
计算该材料的方块电阻值。
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