单项选择题
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻胶
D.去离子水
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多项选择题
在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。
A.MOS栅极
B.保护性元件
C.电容器极板
D.制造只读存储器PROM
E.晶圆背面电镀 -
多项选择题
铜与铝相比较，其性质有（）。
A.铜的电阻率比铝小
B.铝的熔点较高
C.铝的抗电迁移能力较弱
D.铜与硅的接触电阻较小
E.铜可以在低温下淀积 -
多项选择题
属于铝的性质有（）。
A.电阻低
B.抗电迁移特性好
C.对硅氧化物有很好的黏合性
D.有很高的纯度
E.易于光刻
