单项选择题
以下关于DRAM和SRAM说法正确的是（）
A.DRAM具有双稳态特性
B.SRAM将每个位存储为对一个电容的充电
C.DRAM主要用于主存，帧缓冲区
D.SRAM对干扰非常敏感
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单项选择题
以下哪些措施可能提高程序并行性（）
A.循环展开
B.创建多个累积变量
C.重新变换结合
D.以上都是 -
单项选择题
（）是两次运算之间间隔的最小周期数。
A.丢包
B.吞吐量
C.发射时间
D.延迟 -
单项选择题
（）是执行实际运算所需要的时钟周期总数。
A.丢包
B.发射时间
C.延迟
D.吞吐量
