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多项选择题
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金属
C.单晶硅多晶硅
D.铝铜
E.铝硅 -
多项选择题
以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。
A.单晶硅
B.多晶硅
C.硅化金属
D.二氧化硅
E.氮化硅 -
单项选择题
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A.n型掺杂区
B.P型掺杂区
C.栅氧化层
D.场氧化层
