填空题
EPROM的存储单元是在MOS管中置入（）的方法实现的。写入程序时，在漏极和衬底之间加足够高的反向脉冲电压，可使PN结产生雪崩击穿，产生的高能电子穿透二氧化硅绝缘层进入浮置栅中。当将外部提供的电源去掉后，（）中的电子无放电回路而被保留下来。
【参考答案】
浮置栅；浮置栅
点击查看答案
相关考题
-
单项选择题
下列哪个逻辑门可以实现吸收大负载电流功能（）
A.卤门
B.三态门
C.传输门
D.OD门 -
填空题
动态MOS存储单元是利用（）存储信息的，为了不丢失信息，必须（）。 -
单项选择题
下列关于反逻辑式和对偶式的变换方法的说法不正确的是（）
A.利用代入定理可将基本公式中的摩根定理推广为多变量的形式
B.将逻辑式Y中的所有“• ”和“+”互换，“0 ”和“1”互换，就可得到Y´
C.摩根定理只是反演定理的一个特例
D.将逻辑式Y中的所有“• ”和“+”互换，“0 ”和“1”互换，就可得到YD
