单项选择题
下列关于Latch up效应说法不正确的是（）
A.衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。
B.Latch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。
C.Latch up效应与两个寄生三极管的放大系数有关。
D.Latch up效应与井和衬底的参杂浓度无关。
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下列工具是布局布线工具（）
A.Design Compiler
B.Allegro
C.Virtuoso
D.Dracula
E.SoC Encounter -
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下列工具是综合工具的是（）
A.Design Compiler
B.Allegro
C.Virtuoso
D.Dracula -
单项选择题
关于Stick Diagram，下列说法正确的是（）
A.Stick Diagram包括了所有版图的信息。
B.Stick Diagram的信息是不完整的，因此它对于版图没有任何帮助。
C.Stick Diagram是版图的抽象表示，它可以帮助高效的画出版图。
D.Stick Diagram没有层次的概念。
