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直拉单晶硅工艺学
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填空题
拉制电阻率较高硅单晶1~102欧姆•厘米,采用()作掺杂剂,即就是()与硅的合金。
【参考答案】
母合金;杂质单质元素
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填空题
拉制硅单晶的电阻率范围不同,掺杂剂的形态也不一样,拉制低电阻率10-2~10-4欧姆•厘米的P型硅单晶,一般掺()。
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拉制硅单晶的电阻率范围不同,掺杂剂的形态也不一样,拉制低电阻率10-2~10-3欧姆•厘米的N型硅单晶,一般掺()。
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