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单项选择题
水热法生长是（）
A.常温高压生长
B.高温高压生长
C.常温常压生长
D.高温常压生长 -
单项选择题
层生长理论的缺陷是（）
A.不能解释晶体在低过饱和度条件下形成二维核
B.不能解释旧层生长
C.不能解释二维核的形成
D.不能解释新层生长 -
判断题
螺旋生长需要借助于螺旋位错提供台阶位进行生长。
