多项选择题
已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值，那么各状态下器件的工作状态为（）。
A.状态1：饱和区；状态2：饱和区
B.状态1：截止区；状态2：饱和区
C.状态3：变阻区；状态4：饱和区
D.状态3：饱和区；状态4：变阻区
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单项选择题
已知某NMOS器件的Vt=1V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA=50V，且工作点电流ID=0.5mA，则其小信号模型参数gm=（）mA/V，ro=（）kΩ。
A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100 -
单项选择题
电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1µm，W=32µm，k′n=100μA/V2，忽略沟道长度调制效应，则电阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5 -
单项选择题
在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬底应接在电路的（）电位。
A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低
