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单项选择题
耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）
A.大于零
B.等于零
C.大于0.7V
D.小于零 -
单项选择题
双极型晶体管有（）
A.二个pn结
B.一个pn结
C.三个pn结
D.没有pn结 -
单项选择题
pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）
A.复合电流
B.漂移电流
C.扩散电流
D.漏电流
