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全部科目 > 大学试题 > 理学 > 材料科学 > 直拉单晶硅工艺学

问答题

简答题

许多晶体从稀薄环境相中生长,可作为完整突变光滑面的生长,这种类型的生长,一般认为应包括哪三个主要阶段?

    【参考答案】

    1.生长基元向界面邻近输送,生长基元在边界层中扩散,(靠近结晶界面)
    2.生长基元在界面上吸附,聚集于生长界面,......

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