单项选择题
对于高纯锗探测器的描述，下列说法错误的是（）。
A.高纯锗探测器是由Ge单晶制成
B.杂质浓度约为105个原子/cm3
C.因为纯度高，所以可以有很大的结区，即敏感体积
D.耗尽层内的电场强度不是一致的
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单项选择题
下列对锂漂移探测器的工作条件和原理描述不正确的是（）。
A.锂漂移探测器不可以用来测量入射粒子的能量
B.Ge（Li）探测器须保存在低温下
C.Si（Li）探测器可在常温下保存
D.锂漂移探测器能量分辨率高于NaI探测器 -
单项选择题
关于锂漂移探测器的工作原理，下列说法正确的是（）。
A.I区存在空间电荷
B.I区为耗尽层，但是电阻率低于106Ω
C.I区为主要的探测器敏感区域
D.因为空间电荷的存在，平面型结构I区内不是均匀电场 -
单项选择题
关于锂的漂移特性及P-I-N结形成，下列说法错误的是（）。
A.Li为施主杂质
B.锂离子是用于漂移成探测器的唯一可用离子
C.基体用N型半导体
