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单项选择题
横向效应小、蠕变和机械滞后小、疲劳寿命长的应变片是（）。
A.丝式应变片
B.箔式应变片
C.薄膜应变片
D.任意应变片 -
单项选择题
利用半导体硅的压阻效应和集成电路技术制成的力传感器的优点是（）。
A.灵敏度高
B.动态响应快
C.稳定性好，易集成化
D.灵敏度高，动态响应快，稳定性好，易集成化 -
单项选择题
为了尽量减小自感式传感器输出电路中的零点残余电压，下列措施中正确的是（）。
A.设计时，应使上、下磁路成非对称
B.设计时，铁芯材料选高电阻率及窄磁滞回线的铁磁材料
C.制造时，使上、下铁磁材料特性不一致
D.线圈排列要均匀，松紧一致，做到每匝匝数都不相同
