单项选择题
对共基极放大电路特性描述不正确的是（）。
A.由于无结电容影响，常用于放大高频信号
B.输入电阻小，对前一级放大电路或信号源的带负载能力要求不高
C.放大电路的输出信号与输入信号同相
D.输出电阻大，带负载能力较差
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单项选择题
对晶体三极管放大电路的工程常识描述不正确的是（）。
A.放大电路的输入信号电流一般是微安级的电流
B.放大电路的输出功率一般是瓦特级
C.放大电路的输入信号电压一般是毫伏甚至是微伏级电压
D.放大电路的输出信号电流一般是几毫安 -
单项选择题
晶体三极管形成原理描述不正确的是（）。
A.由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较低
B.到达基区的电子很容易穿过集电结
C.到达基区的空穴很容易穿过发射结
D.由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高 -
单项选择题
对PN结电击穿描述不正确的是（）。
A.PN结电击穿时，在外电压撤除后能够恢复原状态
B.雪崩击穿属于电击穿
C.齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的
D.稳压二极管就是利用齐纳击穿原理实现的
