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单项选择题
晶闸管交流侧过电压保护常用措施有（）。
A.并联阻容吸收电路
B.利用阀型避雷器
C.具有稳压特性的非线性电阻器
D.以上都是 -
单项选择题
电力场效应管（MOSFET）主要采用何种结构形式？（）
A.P 沟道耗尽型
B.P 沟道增强型
C.N 沟道耗尽型
D.N 沟道增强型 -
单项选择题
以下不是电力电子应用技术发展方向的是（）。
A.集成化
B.高效化
C.低压化
D.智能化
