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单项选择题
理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小，阈值电压（）
A.越大
B.越小
C.不变
D.不一定 -
单项选择题
已知NMOS管的阈值电压是1.5V，工作时漏源电压为3V，栅源电压为5.5，则该MOS管的状态是（）
A.非饱和
B.截止
C.饱和
D.不能判断 -
单项选择题
增强型NMOS的阈值电压（）0，且当VGS（）VT时，MOS管才导通
A.大于，小于
B.大于，大于
C.小于，大于
D.小于，小于
