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薄膜物理与技术
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判断题
对于LPCVD Si
3
N
4
工艺，NH
3
/DCS比例越小颗粒改善越明显。（）
【参考答案】
错误
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判断题
在LPCVD Si3N4制程中，增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速度。（）
判断题
Si3N4可以被用做硅片的钝化保护层，也被用做掩蔽膜，还可应用于电容。（）
判断题
在CVD反应中低压的作用就是使反应物更快地到达衬底表面。（）
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