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LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。
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高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
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CVD是利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上,并淀积成薄膜。
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快速热处理是一种小型的快速加热系统,带有辐射热和冷却源,通常一次处理一片硅片。
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