多项选择题
对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是（）
A.IGBT的开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO
B.GTR的开关速度高，驱动电路复杂，存在二次击穿问题
C.GTO的电压、电流容量大，但其关断增益也很大
D.电力MOSFET的开关速度最快，但驱动电路比较复杂
点击查看答案&解析
相关考题
-
单项选择题
下列不属于交流电力电子开关特点的是（）
A.响应速度快
B.无触点
C.损耗低
D.寿命长 -
单项选择题
SVPWM调制实现过程中，以下不属于其生成步骤的是（）
A.扇区判断
B.有效矢量作用时间计算
C.矢量合成
D.载波调制 -
单项选择题
SVPWM相比于SPWM，不属于SVPWM特点的是（）
A.电压利用率高
B.输出电压谐波含量低
C.调制过程简单
D.计算复杂
