单项选择题
在均匀形核过程中，当过冷度过小时，形核率N主要受（）控制，随着过冷度增加，临界晶核半径减小；当过冷度继续增大，尽管临界晶核半径也在减小，但由于原子在较低温度下扩散变得困难，此时形核率N主要受（）控制。
A.形核功；原子扩散几率因子
B.形核功因子；原子扩散几率因子
C.形核功；原子越过液固相界面的扩散激活能
D.形核功因子；原子越过液固相界面的扩散激活能
点击查看答案
相关考题
-
单项选择题
均匀形核发生所需要的过冷度大概为其熔点的（）倍。
A.0.2
B.0.3
C.0.4
D.0.1 -
单项选择题
在均匀形核过程中，形成临界晶核时体系的自由能（）；过冷度越（），形核越容易。
A.增加；小
B.增加；大
C.减少；小
D.减少；大 -
单项选择题
结晶过程中形核数量多，长大速度慢会导致（）。
A.获得单晶
B.各向异性
C.晶粒粗大
D.晶粒细小
