欢迎来到财会考试题库网 财会考试题库官网
logo
全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 集成电路技术 > 集成电路工艺原理

问答题

简答题

试述MOS管沟道长度L和宽度W与阈值电压的关系。

    【参考答案】

    当MOS工艺发展到亚微米、深亚微米水平后,必须考虑二阶效应。这时,随着沟道长度L的减小,阈值电压将减小;随着沟道宽度W的......

    (↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)

    点击查看答案
    微信小程序免费搜题
    微信扫一扫,加关注免费搜题

    微信扫一扫,加关注免费搜题