欢迎来到财会考试题库网
财会考试题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
集成电路技术
>
集成电路工艺原理
搜题找答案
判断题
离子注入中高能量意味着注入硅片更深处,低能量则用于超浅结注入。
【参考答案】
正确
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
判断题
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。
判断题
离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。
判断题
离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题