单项选择题
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
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多项选择题
超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
A.高分辨率
B.高灵敏度
C.精密的套刻对准
D.大尺寸
E.低缺陷 -
单项选择题
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
A.刻蚀
B.氧化
C.淀积
D.光刻 -
单项选择题
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
