欢迎来到财会考试题库网
财会考试题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
微电子器件与IC设计基础
搜题找答案
填空题
当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时,MOSFET的阈电压会(),这称为衬底偏置效应。
【参考答案】
增大
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
填空题
MOSFET的基本工作原理,是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力,从而控制()电流。
填空题
IES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流,相当于单独一个()构成的PN结二极管的反向饱和电流。
填空题
共发射极电路中,基极电流IB是输入电流,集电极电流IC是输出电流。发射结正偏、集电结零偏时的IC与IB之比称为(),记为β。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题