欢迎来到财会考试题库网
财会考试题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
微电子器件与IC设计基础
搜题找答案
判断题
当MOSFET的漏极电流较小时,随着温度的温度升高,漏极电流将减小。
【参考答案】
错误
(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看答案解析 ↓↓↓)
点击查看答案&解析
上一题
目录
下一题
相关考题
判断题
由于MOSFET的栅氧化层电荷通常带正电,因此N型衬底将更难发生反型。
判断题
对于P型的MOSFET,其衬底相对于源区应该接低电位。
判断题
当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时,称表面发生了强反型。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题