相关考题
-
单项选择题
锗晶体三极管的发射结的导通电压约为（）。
A.0.2V
B.0.3V
C.0.7V -
单项选择题
晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而（）。
A.增大
B.减小
C.不变 -
单项选择题
硅晶体三极管的发射结的死区电压约为（）。
A.0.5V
B.0.3V
C.0.7V
