相关考题
-
单项选择题
以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（）
A.Si
B.Ge
C.GaAs
D.GaN -
单项选择题
当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。
A.1/n0
B.1/△n
C.1/p0
D.1/△p -
单项选择题
有效复合中心的能级必靠近（）
A.禁带中部
B.导带
C.价带
D.费米能级
