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全部科目 > 大学试题 > 理学 > 材料科学 > 直拉单晶硅工艺学

填空题

生长电阻率为10-2欧姆•厘米至10-4欧姆•厘米硅单晶时，硅单晶含杂质多，掺杂量大，一般用（）掺杂。

    【参考答案】

    纯元素掺杂剂

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