单项选择题
关于PN结半导体探测器，下列说法正确的是（）。
A.结区的电场为均匀电场
B.耗尽区的宽度与掺杂浓度无关
C.结区电容与外加电压无关
D.外加电压增大，耗尽层的宽度增加
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单项选择题
关于半导体作为探测器介质的物理性能，下列说法错误的是（）。
A.平均电离能比闪烁体探测器低
B.载流子数目服从泊松分布
C.电子迁移率与空穴迁移率相近
D.掺杂会大大降低半导体的电阻率 -
单项选择题
下列哪两种性质是组成半导体探测器的关键？（）
A.高的电阻率，短的载流子寿命
B.高的电阻率，长的载流子寿命
C.低的电阻率，长的载流子寿命
D.低的电阻率，短的载流子寿命 -
单项选择题
掺杂下列哪种元素的杂质半导体是属于间隙型的？（）
A.Li
B.B
C.P
D.Al
