欢迎来到财会考试题库网
财会考试题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
微电子学
搜题找答案
填空题
由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。
【参考答案】
正；P；N
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
填空题
P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
填空题
N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
填空题
对高频晶体管结构上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
