欢迎来到财会考试题库网
财会考试题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
微电子器件与IC设计基础
搜题找答案
填空题
当MOSFET的沟道长度很小时，阈值电压将随着沟道长度的减小而（），该现象叫做阈值电压的短沟道效应。
【参考答案】
减小
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
填空题
要提高MOSFET的跨导，需要（）沟道长度和栅氧化层厚度。
填空题
当MOSFET处于亚阈区时，漏源电流与栅压呈（）关系。
填空题
通过对沟道区进行离子注入可调整MOSFET的阈值电压，当注入的杂质与衬底杂质的类型相同时，N沟道MOSFET的阈值电压向（）方向调整。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
