单项选择题
SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制（）。
- A.反应温度在280℃~300℃之间
B.硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥
C.晶体生长速度
D.合成时加入少量的催化剂，可降低温度
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单项选择题
下面不是制造非晶硅太阳电池常用的方法是（）。
A.辉光放电法
B.反应溅射法
C.化学气相沉积法
D.电镀法 -
单项选择题
薄膜光伏电池制备工艺中，等离子增强化学气相沉淀法的英文缩写是（）
A.PVD
B.LPVCD
C.PEVCD
D.LVCD -
单项选择题
电池片表面的镀膜厚度是利用光学中的（）原理来减少反射。
A.相长干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射
