判断题 ​冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。

判断题 ‎P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。

判断题 ​MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。